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- 型号： CY7C1565V18-400BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1565V18-400BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1565V18-400BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1565V18-400BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1565V18-400BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1565V18-400BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1565V18-400BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步静态RAM（SSRAM），属于QDR™ II+（Quad Data Rate II Plus）类型，容量为18Mb（512K × 36位），工作频率达400MHz（tCLK=2.5ns），支持双数据速率读写，具备独立读/写端口和突发访问能力。 其典型应用场景包括： • 高速网络设备：用作路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、FIFO缓存或查找表（如TCAM辅助缓存），满足线速转发对低延迟、高带宽的要求； • 通信基站与无线基础设施：在5G BBU/RRU中承担基带处理单元的实时数据缓存、信道编码/解码中间结果暂存； • 测试测量与高端FPGA协处理器系统：作为FPGA（如Xilinx Ultrascale+或Intel Stratix 10）的外部高速缓存，弥补片内BRAM容量不足，支撑视频流处理、雷达信号采集等大数据吞吐任务； • 工业自动化与实时控制系统：用于需要纳秒级访问响应的运动控制卡、高精度数据采集系统中的环形缓冲区。 该器件采用165-ball FBGA封装（13×15mm），支持工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并具备可配置I/O电压（1.5V/1.8V）、JTAG边界扫描及多种省电模式，适用于对可靠性、时序精度和功耗均有严苛要求的嵌入式实时系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1565V18-400BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（2M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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