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- 型号： CY7C1514V18-200BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1514V18-200BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1514V18-200BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1514V18-200BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1514V18-200BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1514V18-200BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1514V18-200BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步双端口静态RAM（SRAM），容量为1Mb（64K × 18位），工作频率达200MHz（tCLK = 5ns），支持3.3V供电及LVDS/LVTTL兼容接口。其核心应用场景聚焦于高带宽、低延迟、双CPU/双总线协同处理的嵌入式系统： - 通信设备：用作网络处理器（NPU）、FPGA协处理器或交换芯片间的高速数据缓存/缓冲，支持线速包处理与流量整形； - 工业控制与自动化：在PLC、运动控制器中实现主控CPU与实时I/O处理器之间的无冲突共享内存，保障确定性响应； - 测试测量仪器：作为高速ADC/DAC数据采集与处理单元的暂存区，满足实时波形捕获与分析需求； - 军事/航空电子：凭借工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）和高可靠性，适用于雷达信号处理、航电数据交联等关键任务系统。 该器件采用双端口架构（左/右独立地址与数据总线），支持同时读写操作，避免仲裁延迟；内置中断逻辑便于跨端口事件通知；BGA封装（165-ball FBGA）利于高密度PCB布局。需注意其已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌替代方案（如同系列升级型号或基于LPDDR的方案）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1514V18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（2M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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