Datasheet下载- 型号： CY7C1512V18-200BZXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1512V18-200BZXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1512V18-200BZXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1512V18-200BZXI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1512V18-200BZXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1512V18-200BZXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1512V18-200BZXI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、18位数据总线、1M×18结构（共18Mb）、200MHz（5ns读写周期）的QDR II+（Quad Data Rate II Plus）SRAM。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如核心路由器、交换机中的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIB（转发信息库）缓存，利用QDR II+双沿采样与独立读/写端口特性，实现无冲突并发读写，满足线速处理需求； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、OTN/SDH传输设备中的时隙交换、信元/分组重排缓存； - 高端测试仪器与FPGA协处理器：为FPGA（如Xilinx Ultrascale/Kintex或Intel Stratix）提供超低延迟、确定性访问的片外高速缓存，用于实时信号处理、视频帧缓存或协议分析流水线； - 军事/航天加固应用（得益于BZXI后缀：-40°C ~ +85°C工业级温度、符合JEDEC标准、无铅且RoHS合规），适用于雷达信号处理、电子战系统中对时序严苛、抗干扰强的暂存需求。 该器件不适用于大容量长期存储（非Flash/DRAM），而是聚焦于需要纳秒级访问、零等待状态、高吞吐（达3.2GB/s峰值带宽）的关键路径缓存场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1512V18-200BZXI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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