Datasheet下载- 型号： CY7C1426JV18-300BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1426JV18-300BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1426JV18-300BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1426JV18-300BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1426JV18-300BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1426JV18-300BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1426JV18-300BZC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），具体为 1.8V、512K × 18 位（9Mb）的流水线型 Burst SRAM，采用 BGA 封装，300MHz 时钟频率（tCLK = 3.33ns），支持突发读写操作。 其典型应用场景包括： - 网络通信设备：如高速路由器、交换机中的数据包缓冲、FIFO 队列及查找表（LUT）缓存，得益于低延迟（典型访问延迟仅 1.5 个时钟周期）和确定性时序，满足实时转发需求； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输系统（OTN/SDH）中用于暂存高速串行数据流或协议解析中间结果； - 工业与嵌入式系统：高可靠性工控主板、测试测量仪器（如逻辑分析仪、高速示波器）的数据采集缓存，支持连续高速数据吞吐； - 视频处理与成像系统：作为图像帧缓冲或像素数据暂存区，配合 FPGA 或 DSP 实现多通道视频拼接、缩放等实时运算； - 军事/航天领域（选用工业级/扩展温度版本）：在抗辐射加固设计中用作关键控制路径的低延迟本地存储，保障系统响应确定性。 该器件不适用于大容量、低成本存储场景（如主内存或闪存替代），而是面向对时序精度、访问速度和稳定性要求严苛的中等容量高速缓存应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1426JV18-300BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 其它名称 | CY7C1426JV18300BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（4M x 9） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 102 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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