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产品简介:
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CY7C1425BV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V、16Mbit(1M × 18位)、200MHz(5ns读取周期)的ZBT(Zero Bus Turnaround)SRAM。其主要应用场景包括: - 高速网络设备:用于路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、FIFO队列和查找表(如TCAM辅助缓存),满足低延迟、零总线切换时间的实时处理需求; - 电信基础设施:在基站基带处理单元(BBU)、光传输设备(OTN/SDH)中作为协处理器或DSP的高速本地缓存,支持突发数据流的无缝读写; - 工业与嵌入式系统:适用于高可靠性要求的工控PLC、医疗成像设备(如超声前端数据暂存)及测试测量仪器,得益于其宽温范围(–40°C 至 +85°C)和稳定时序; - 军事与航空航天:部分加固版本(非本型号,但同系列)可用于航电系统,而该商用级型号亦见于地面雷达信号处理板卡的中间缓存层; - FPGA/ASIC协同设计:常作为Xilinx或Intel FPGA的外挂高速缓存,弥补片内Block RAM容量不足,提升视频处理、协议解析等带宽密集型任务性能。 该器件采用119-BGA封装(BZC后缀),支持DDR源同步接口、可编程输出驱动强度及JTAG边界扫描,便于系统集成与调试。需注意其为并行接口SRAM,正被部分新兴串行接口方案替代,但在对确定性延迟和简单时序有严苛要求的场景中仍具不可替代性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1425BV18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(15x17) |
| 其它名称 | CY7C1425BV18200BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 36M(4M x 9) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 102 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |