Datasheet下载- 型号： CY7C1423JV18-250BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1423JV18-250BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1423JV18-250BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1423JV18-250BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1423JV18-250BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1423JV18-250BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1423JV18-250BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），具体为 2.5V、16Mbit（1M × 16）、189-ball FBGA 封装的 DDR II QDR SRAM，访问时间为 250ps（即 250 MHz 工作频率）。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIB/CAM 替代缓存等，得益于QDR架构支持独立读/写端口与双倍数据速率，可实现高吞吐、低延迟的数据并行访问。 - 电信基础设施：基站基带处理、OTN/SDH传输设备中的帧缓存、时隙交换及信令处理单元。 - 高端测试测量仪器：逻辑分析仪、高速示波器中用于实时采集数据的深度高速暂存。 - 军事与航天电子系统（因该器件具备工业级温度范围 -40°C 至 +85°C 及符合JESD22可靠性标准）：雷达信号处理、电子对抗设备中的关键中间缓存。 需注意：该器件已进入 Cypress 的“Not Recommended for New Designs”（NRND）状态，英飞凌建议新设计选用其QDR-IV或更先进的内存方案替代，但仍在部分存量工业/通信设备中持续使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1423JV18-250BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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