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- 型号： CY7C1420JV18-300BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1420JV18-300BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1420JV18-300BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1420JV18-300BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1420JV18-300BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1420JV18-300BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1420JV18-300BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），具体为 72-Mbit（4M × 18）QDR® II+ SRAM，工作频率达 300 MHz（1.2 Gbps 数据速率），采用 165-ball FBGA 封装，支持低压差分信号（LVDS）接口。 其主要应用场景集中于对带宽、低延迟和确定性时序要求极高的高速数据处理系统，典型包括： - 网络通信设备：如核心路由器、交换机中的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIB（转发信息库）缓存及流量管理模块； - 电信基础设施：基站（尤其是4G LTE/5G前传与中传单元）、光传输设备（OTN）、ATM/PTN交换中的高速队列管理； - 测试与测量仪器：高端示波器、逻辑分析仪的实时深度采样缓存； - 军事与航空航天电子系统：雷达信号处理、电子对抗设备中需抗辐射加固（该型号具备工业级温度范围–40°C 至 +85°C 和高可靠性设计）的实时数据暂存； - FPGA协处理器加速系统：作为Xilinx或Intel FPGA的外部高速片外缓存，支撑视频编解码、AI推理流水线的数据吞吐。 该器件不适用于大容量长期存储（如硬盘/Flash替代），而是专精于纳秒级访问、双沿采样、无等待周期的突发式高速缓存场景。其QDR II+架构支持独立读写端口，可实现真正的并发读写操作，显著提升系统吞吐效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1420JV18-300BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 36M（1M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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