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- 型号： CY7C1418BV18-250BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1418BV18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1418BV18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1418BV18-250BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1418BV18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1418BV18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1418BV18-250BZI 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V供电的18位×128K（即2.3Mbit）容量QDR-II+架构器件。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、查找表（LUT）、FIB缓存等，得益于QDR-II+双数据速率及独立读/写端口，支持高吞吐、低延迟并行访问。 - 电信与基站设备：在5G无线基站的基带处理单元（BBU）或前传/中传接口中，用作FPGA或ASIC的高速暂存器，满足CPRI/eCPRI协议对确定性时延和突发数据吞吐的要求。 - 测试测量仪器：高端示波器、逻辑分析仪等需实时采集并缓存高速信号数据，该芯片250MHz时钟（对应500MT/s有效速率）可支撑百兆级采样深度的无缝捕获。 - 工业与军事嵌入式系统：工作温度范围为–40°C至+85°C（I级工业级），支持宽温稳定运行，适用于雷达信号处理、航空电子数据缓冲等对可靠性与时序严苛的场景。 注：该型号后缀“ZI”表示无铅、符合RoHS的TQFP封装（165引脚），便于PCB布局与热管理。不适用于大容量长期存储（如SSD），亦非Flash或DRAM替代品，核心价值在于确定性低延迟与高并发读写能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1418BV18-250BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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