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产品简介:
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CY7C1415KV18-333BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V供电的16Mbit(1M×18位)QDR™ II+ SRAM。其典型应用场景包括: - 高速网络设备:如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、查找表(LUT)、TCAM辅助缓存,得益于QDR II+双数据速率架构(读/写独立总线、高达333MHz时钟、666MT/s有效带宽),可满足线速转发需求。 - 电信与基站设备:用于4G/5G基站的基带处理单元(BBU)中作为FPGA或DSP的低延迟、高吞吐外置缓存,支撑实时信号处理(如FFT、信道编码/解码)。 - 测试测量仪器:高端示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存大量实时波形数据,该器件提供纳秒级访问时间与确定性延迟,保障数据完整性。 - 工业自动化与军事航空:在高可靠性要求场景中(工作温度范围–40°C至+85°C,符合工业级标准),用于雷达信号处理、实时控制系统的高速帧缓存或指令队列。 注:该芯片已停产(End-of-Life),当前多被英飞凌后续QDR系列或集成化方案替代,但存量设备中仍广泛使用。应用时需注意其18位数据宽度、差分时钟接口及严格的PCB布线(阻抗匹配、等长走线)要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49413 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1415KV18-333BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=44765 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 其它名称 | CY7C1415KV18333BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 36M(1M x 36) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |