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- 型号： CY7C1412KV18-300BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1412KV18-300BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1412KV18-300BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1412KV18-300BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1412KV18-300BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1412KV18-300BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1412KV18-300BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步双端口静态RAM（SRAM），容量为72Mb（4M × 18位），支持300MHz时钟、1.8V核心电压，采用165-ball BGA封装。其典型应用场景包括： - 高速通信设备：用于网络处理器、交换机/路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲及流量整形，利用双端口特性实现读写并行（如一端写入以太网帧，另一端供MAC或CPU读取），显著降低延迟。 - 工业与嵌入式控制系统：在实时PLC、运动控制器中作为共享内存，供多个处理器（如主控MCU与DSP/FPGA）安全、无冲突地访问关键状态变量与I/O映射数据。 - 测试测量仪器：在高速示波器、逻辑分析仪中暂存高采样率采集的原始数据，双端口结构支持一边连续采集（Port A），一边后台处理/传输（Port B），保障不丢点。 - 航空航天与国防电子：因具备工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）、高可靠性及抗辐射设计（符合JEDEC标准），适用于雷达信号处理、卫星载荷中的实时数据交换缓冲。 该器件不适用于大容量长期存储（非Flash/DRAM），而是聚焦于需要纳秒级随机访问、零等待读写及多主设备协同的高性能嵌入式缓存场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49094 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1412KV18-300BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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