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  • 型号: CY7C1412BV18-250BZXC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1412BV18-250BZXC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1412BV18-250BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1412BV18-250BZXC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1412BV18-250BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1412BV18-250BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1412BV18-250BZXC 是赛普拉斯(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于“存储器”类别,16Mb(2M × 8/1M × 16)容量,18位数据总线,250MHz时钟频率(tCLK=4ns),采用165-ball BGA封装(ZXC后缀表示无铅、符合RoHS、工业级温度范围–40°C至+85°C)。

其典型应用场景包括:  
1. 高速网络设备:如路由器、交换机、网络处理器(NPU)中的数据包缓冲、查找表(LUT)、FIFO缓存,利用其零等待、低延迟(读写周期仅4ns)特性满足线速转发需求;  
2. 通信基站与无线基础设施:在4G/5G基带处理单元中用作DSP/FPGA的片外高速缓存或中间数据暂存,支持多端口并行访问(支持QDR-II+兼容模式);  
3. 工业与医疗成像系统:如超声、CT图像采集卡中实时存储高帧率原始传感器数据,确保无丢帧;  
4. 高端测试测量设备:逻辑分析仪、高速示波器的深度采集内存,依赖其确定性时序和高可靠性;  
5. 航空航天与国防电子:因具备工业级温宽、高抗干扰性及长生命周期支持,适用于雷达信号处理、航电数据记录等关键任务场景。  

该器件不适用于大容量、低成本存储(如SSD、DDR),而是聚焦于对时序精度、访问确定性和稳定性要求严苛的嵌入式高速缓存场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

CY7C1412BV18-250BZXC

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(15x17)

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,QDR II

存储容量

36M(2M x 18)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

105

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

250MHz

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