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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1320KV18-300BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1320KV18-300BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1320KV18-300BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1320KV18-300BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1320KV18-300BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1320KV18-300BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1320KV18-300BZC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、2M×18位（共36Mb）、300MHz（3.3ns周期）的QDR II+ SRAM，采用165-ball BGA封装（BZC后缀）。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如核心路由器、交换机中的包缓冲、查找表（LUT）、FIB缓存等，利用QDR II+双数据速率与独立读/写端口特性，实现高吞吐、低延迟的并发访问； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、OTN传输设备中用于实时信号处理的数据暂存与队列管理； - 高端测试仪器与FPGA协处理器系统：作为FPGA（如Xilinx Ultrascale+或Intel Stratix 10）的外挂高速缓存或流数据缓冲，满足确定性时序与突发带宽需求； - 军事/航天加固型应用（注：BZC为商业级温度范围0℃~70℃，非工业/军温；若需宽温需选其他后缀，但该型号常被用于对可靠性要求较高的工业级通信模块）。 该芯片不适用于大容量长期存储（如SSD）、低功耗IoT终端或消费类嵌入式主存，因其成本高、功耗较大，专为需要纳秒级访问、数百GB/s带宽的关键实时数据通路而设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49599 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1320KV18-300BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=44765 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1320KV18300BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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