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产品简介:
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CY7C1318KV18-300BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步双端口静态RAM(SRAM),容量为2Mb(128K × 18位),支持300MHz时钟(tCLK = 3.33ns),采用165-ball BGA封装,工作温度范围为–40°C 至 +85°C(工业级),带内置仲裁逻辑与中断功能。 其典型应用场景包括: 1. 高速数据交换桥梁:在双CPU、DSP+FPGA或主从处理器系统中,作为共享缓存/通信缓冲区,实现低延迟、无冲突的并行读写(如通信协议栈与硬件加速器间的数据传递); 2. 网络与通信设备:用于交换机、路由器中的包缓冲、FIFO管理及表项暂存(如MAC地址表、路由缓存),满足高吞吐与确定性访问需求; 3. 工业控制与自动化:在PLC、运动控制器中支撑实时多任务间状态同步与I/O数据共享,保障硬实时响应; 4. 测试测量仪器:作为高速采集系统的环形缓冲或深度存储,配合ADC/DAC实现连续数据流暂存与处理; 5. 航空航天与军工嵌入式系统:凭借工业级可靠性、抗干扰设计及成熟验证记录,适用于雷达信号处理、航电数据总线桥接等严苛环境。 该器件不适用于大容量长期存储(非Flash/DRAM),也不支持掉电数据保持(需外加备用电源或电池)。其核心价值在于确定性低延迟双端口访问能力,是需要高可靠、高并发内存共享场景的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49599 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | CY7C1318KV18-300BZXC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,DDR II |
| 存储容量 | 18M(1M x 18) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |