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- 型号： CY7C1315TV18-250BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1315TV18-250BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1315TV18-250BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1315TV18-250BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1315TV18-250BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1315TV18-250BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1315TV18-250BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），属于高速、低功耗的1.8V QDR™ II+ SRAM（四倍数据速率增强型）。其典型容量为16Mb（1M × 16位），访问时间为250ps（即250MHz时钟下支持快速读写），采用119-ball BGA封装（BZC后缀）。 该器件主要面向对带宽、时序精度和低延迟要求严苛的嵌入式与通信系统，典型应用场景包括： - 网络设备：用作路由器、交换机中MAC层或流量管理单元的缓冲存储器，支持线速包处理； - 电信基础设施：在基站基带处理、OTN/SDH帧缓存、FPGA协处理器本地高速缓存中提供确定性低延迟访问； - 工业与医疗成像系统：作为图像采集卡或实时信号处理板的帧缓冲或FIFO，满足高吞吐与同步读写需求； - 测试测量设备：在高速逻辑分析仪、示波器中实现深度实时数据暂存； - 高端FPGA/ASIC配套存储：常与Xilinx或Intel FPGA搭配，作为片外高速缓存或双端口共享内存，利用QDR-II+的独立读写端口提升并行效率。 其1.8V低压设计兼顾性能与功耗，符合现代嵌入式系统绿色节能趋势。需注意：该型号已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌推荐的替代型号（如PSRAM或新型QDR系列）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1315TV18-250BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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