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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1312KV18-300BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1312KV18-300BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1312KV18-300BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1312KV18-300BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1312KV18-300BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1312KV18-300BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1312KV18-300BZC是Cypress Semiconductor Corp（现为英飞凌科技公司旗下）生产的一款高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM），属于异步FIFO存储器类别。该器件主要应用于需要高速数据缓冲和临时存储的电子系统中。 典型应用场景包括：通信设备中的数据流缓冲，如路由器、交换机和基站，在数据速率不匹配的系统组件之间实现平滑的数据传输；工业自动化控制系统中用于实时数据采集与处理的暂存；测试与测量仪器中对高速信号采样数据的临时存储；以及雷达、航空电子和军事通信系统等高性能领域，满足其对可靠性和稳定性的严苛要求。 该芯片工作电压为1.8V，具备300MHz的高访问速度，采用BGA封装，体积小、性能优，适合高密度电路板设计。其宽温工作范围也支持工业级和扩展温度环境下的稳定运行。总之，CY7C1312KV18-300BZC适用于各类对速度、功耗和可靠性有较高要求的高端嵌入式系统和通信基础设施设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49111 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1312KV18-300BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1312KV18300BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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