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型号： CY7C1312BV18-200BZC
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1312BV18-200BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1312BV18-200BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1312BV18-200BZC封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY7C1312BV18-200BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1312BV18-200BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1312BV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、2Mb（256K × 8位）容量的双端口/单端口可配置SRAM，带边界扫描（JTAG）和ZBT（Zero Bus Turnaround）特性。

其典型应用场景包括：  
- 高速数据缓存与缓冲：广泛用于网络设备（如交换机、路由器）中的包处理引擎、流量管理单元，利用ZBT架构实现读写无缝切换，提升吞吐效率。  
- 通信与基站设备：在4G/5G无线基站的基带处理单元（BBU）、FPGA协处理器间提供低延迟、确定性访问的共享内存，满足实时信号处理需求。  
- 工业与嵌入式系统：用于高可靠性工控PLC、医疗成像设备（如超声/CT数据暂存）、测试测量仪器（如高速示波器的数据采集缓冲）。  
- 军事与航空航天：凭借-40°C至+85°C宽温工作范围及符合工业级可靠性标准（如AEC-Q200兼容设计），适用于恶劣环境下的关键数据暂存。  

该器件采用165-ball FBGA封装（BZC后缀），支持200MHz时钟（5ns读写周期），具备可编程输出驱动强度、可选数据掩码（UB/LB）及掉电模式，适合对时序精度、功耗与稳定性要求严苛的中高端嵌入式系统。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CY7C1312BV18-200BZC
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	165-FBGA（13x15）
包装	托盘
存储器类型	SRAM - 同步，QDR II
存储容量	18M（1M x 18）
封装/外壳	165-LBGA
工作温度	0°C ~ 70°C
接口	并联
标准包装	136
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.7 V ~ 1.9 V
速度	200MHz