Datasheet下载- 型号： CY7C1312BV18-167BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1312BV18-167BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1312BV18-167BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1312BV18-167BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1312BV18-167BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1312BV18-167BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1312BV18-167BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的一款高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、16Mb（1024K × 16位）QDR™ II+（Quad Data Rate II Plus）架构的双端口SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如核心路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIB（转发信息库）缓存，得益于QDR II+双时钟（K/K#）与读/写独立端口特性，支持高达333 MHz（167 MHz时钟下双沿采样，等效333 MT/s）的持续吞吐，满足线速转发需求。 - 电信基础设施：基站（BBU/RRU）、OTN/SDH传输设备中的信元/帧缓存、DMA暂存及协议处理协处理器的本地高速内存。 - 高端测试测量与FPGA协处理：作为FPGA（如Xilinx UltraScale/Versal）的外置高速缓存或流数据缓冲，用于实时信号处理、雷达/软件无线电（SDR）中的乒乓缓冲与延迟匹配。 - 工业与军事嵌入式系统：对确定性低延迟、零刷新、高可靠性有严苛要求的实时控制、图像采集预处理等场景。 该器件采用165-ball FBGA封装（ZC后缀），工作温度范围为0°C至70°C（商用级），具备可编程驱动强度、JTAG边界扫描支持，适用于需要纳秒级访问、无等待周期及高并发读写的嵌入式高速缓存层。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1312BV18-167BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 167MHz |
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