Datasheet下载- 型号： CY7C11681KV18-400BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C11681KV18-400BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C11681KV18-400BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C11681KV18-400BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C11681KV18-400BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C11681KV18-400BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C11681KV18-400BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌Infineon）推出的一款高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于QDR™ II+（Quad Data Rate II Plus）类型，容量为18Mb（1M × 18位），工作频率达400MHz（200MHz时钟下双沿传输，数据速率400MT/s），采用165-ball BGA封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），支持先进低压差分信号（LVDS）接口。 其典型应用场景包括： • 高速网络设备：如核心路由器、交换机中的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIB（转发信息库）缓存，利用QDR II+的独立读写端口与高带宽特性实现零等待、低延迟并行访问； • 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、O-RAN前传/中传模块中用于实时信号处理中间数据暂存； • 测试测量与高端FPGA协处理器系统：作为Xilinx或Intel FPGA的外部高速缓存，配合DMA引擎实现高速数据流采集与预处理； • 军事/航空电子系统：在要求高可靠性、抗辐射（可选工业级/扩展工业级版本）及确定性低延迟的实时信号处理平台中用作关键帧缓存或队列管理存储。 该器件不适用于大容量长期存储（如SSD/Flash），亦非通用主存替代品，而是专为对带宽（最高约7.2 GB/s）、访问确定性与时序精度有严苛要求的嵌入式高速数据通路场景设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C11681KV18-400BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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