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产品简介:
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CY7C1021BN-10ZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高速异步静态RAM(SRAM),容量为128K × 8位(1 Mbit),访问时间10 ns,采用32引脚SOIC封装,工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),支持3.3 V单电源供电。 其典型应用场景包括: 🔹 工业控制设备:用作PLC、运动控制器或HMI中的高速缓存或临时数据缓冲,满足实时响应需求; 🔹 通信设备:在交换机、路由器或光模块中承担报文暂存、FIFO扩展或寄存器映射内存; 🔹 嵌入式系统与仪器仪表:为DSP/FPGA/微控制器提供低延迟、零等待状态的外部数据存储,适用于示波器、信号发生器等需快速采集与处理的场景; 🔹 汽车电子(符合工业级要求):用于车身控制模块、车载信息娱乐系统中对可靠性与温度适应性有要求的非易失性缓存辅助(注:SRAM本身为易失性,但该型号常搭配备用电池或配合NVSRAM方案使用); 🔹 医疗电子设备:如便携式监护仪、影像前端处理单元,依赖其稳定时序和抗干扰能力保障关键数据实时暂存。 该器件不带内置电池或EEPROM,非掉电保持型;设计时需外配电源监控与备用电源(如超级电容)以实现数据保持。目前已逐步被更小封装、更低功耗的新型SRAM替代,但在存量工业设备维护与兼容性升级中仍有应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C10211BN-10ZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 1M (64K x 16) |
| 封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 135 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 10ns |