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产品简介:
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CY62136VNLL-55ZSXAT 是 Cypress Semiconductor Corp(现属英飞凌科技)推出的一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为2 Mbit(256K × 8),访问时间为55 ns,采用32引脚TSOP-II封装,支持3.3 V单电源供电,具有低功耗、高可靠性及工业级工作温度范围(–40°C 至 +85°C)。 其典型应用场景包括: - 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和运动控制器中,用作高速缓存或临时数据缓冲,满足实时响应需求; - 网络通信设备:在交换机、路由器及光模块中承担帧缓冲、FIFO或查找表(LUT)功能,利用其零等待周期读写特性提升吞吐效率; - 嵌入式系统与微控制器外扩RAM:为MCU(如ARM Cortex-M系列)或DSP提供快速外部数据存储,适用于需大容量暂存但不适宜使用DDR的资源受限系统; - 测试测量仪器:如数字示波器、逻辑分析仪中用于高速采样数据暂存,55 ns访问时间可匹配中高频采集速率; - 汽车电子(符合工业级温度):在车载信息娱乐(IVI)或车身控制模块中作为非易失性备份前的高速暂存单元(需配合外部EEPROM/Flash)。 该器件不具掉电保持能力,故不适用于断电需保存数据场景;其无内置电池或NV-SRAM结构,典型应用聚焦于需稳定、快速、宽温工作的通用SRAM需求场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 2MBIT 55NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY62136VNLL-55ZSXAT |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MoBL® |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 2M (128K x 16) |
| 封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 55ns |