Datasheet下载- 型号： CY14B104L-BA20XI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B104L-BA20XI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B104L-BA20XI价格参考。Cypress SemiconductorCY14B104L-BA20XI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY14B104L-BA20XI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B104L-BA20XI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B104L-BA20XI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌科技）推出的一款 4-Mbit（512K × 8）非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM），采用“自动存储（AutoStore）”技术，无需外部电池即可实现断电数据持久保存。 其典型应用场景包括： ✅ 工业控制系统：用于PLC、DCS及人机界面（HMI）中实时保存运行参数、配置信息和关键日志，确保意外断电后数据不丢失； ✅ 网络通信设备：在路由器、交换机、基站等设备中存储MAC地址表、路由配置、固件校准参数等需频繁读写且掉电需保留的数据； ✅ 医疗电子设备：如监护仪、便携式诊断设备，用于可靠记录患者设置、测量历史或系统校准值，满足医疗安全与数据完整性要求； ✅ 汽车电子（车载信息娱乐/ADAS模块）：在宽温（–40°C 至 +85°C，工业级）和高可靠性要求下，存储用户偏好、故障码（DTC）、传感器标定数据等； ✅ 金融终端与POS机：保障交易缓存、密钥状态、计数器等敏感信息在断电时零延迟、无磨损地持久化，规避EEPROM写入寿命限制。 该器件支持并行接口（20ns访问时间）、低功耗（待机电流＜100μA），兼具SRAM的高速读写性能与Flash/EEPROM的非易失性优势，特别适用于对数据可靠性、写入耐久性（无限次写操作）和上电即用有严苛要求的嵌入式场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 4MBIT 20NS 48FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B104L-BA20XI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-FBGA（6x10） |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 4M （512K x 8） |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 299 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 20ns |
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