图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6350-P-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6350-P-TL-E价格参考。ON SemiconductorCPH6350-P-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH6350-P-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH6350-P-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH6350-P-TL-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOT-457(即TSOP-6)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅28 mΩ @ Vgs=10V)、高开关速度、小尺寸及良好热性能等特点。其额定电压为60 V,连续漏极电流达5.5 A(Tc=25°C),适合中低压、中等功率的高效开关应用。 典型应用场景包括: • DC-DC电源转换:如同步降压(Buck)转换器中的下管(low-side switch),尤其适用于便携式设备、机顶盒、网络路由器等板载电源模块; • 负载开关与电源管理:用于主板/模块的上电时序控制、USB端口过流保护、电池供电系统的电源通断控制; • 电机驱动:驱动小型直流有刷电机(如风扇、打印机进纸机构、智能门锁电机),支持PWM调速; • LED驱动电路:作为恒流或PWM调光的主开关器件,用于背光驱动或智能照明模块; • 工业与消费类嵌入式系统:在PLC接口、传感器信号调理、继电器替代等场景中实现快速、低损耗的电子开关功能。 该器件集成ESD保护(HBM > 2 kV),具备良好的雪崩耐量(UIS rated),提升了系统鲁棒性。其小尺寸封装利于高密度PCB布局,配合低驱动要求(标准逻辑电平兼容),便于与MCU或栅极驱动IC直接连接。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CPH6350-P-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |