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  • 型号: CPH6350-P-TL-E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6350-P-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6350-P-TL-E价格参考。ON SemiconductorCPH6350-P-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH6350-P-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH6350-P-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH6350-P-TL-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOT-457(即TSOP-6)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅28 mΩ @ Vgs=10V)、高开关速度、小尺寸及良好热性能等特点。其额定电压为60 V,连续漏极电流达5.5 A(Tc=25°C),适合中低压、中等功率的高效开关应用。

典型应用场景包括:  
• DC-DC电源转换:如同步降压(Buck)转换器中的下管(low-side switch),尤其适用于便携式设备、机顶盒、网络路由器等板载电源模块;  
• 负载开关与电源管理:用于主板/模块的上电时序控制、USB端口过流保护、电池供电系统的电源通断控制;  
• 电机驱动:驱动小型直流有刷电机(如风扇、打印机进纸机构、智能门锁电机),支持PWM调速;  
• LED驱动电路:作为恒流或PWM调光的主开关器件,用于背光驱动或智能照明模块;  
• 工业与消费类嵌入式系统:在PLC接口、传感器信号调理、继电器替代等场景中实现快速、低损耗的电子开关功能。

该器件集成ESD保护(HBM > 2 kV),具备良好的雪崩耐量(UIS rated),提升了系统鲁棒性。其小尺寸封装利于高密度PCB布局,配合低驱动要求(标准逻辑电平兼容),便于与MCU或栅极驱动IC直接连接。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 30V 6A CPH6

产品分类

FET - 单

品牌

ON Semiconductor

数据手册

产品图片

产品型号

CPH6350-P-TL-E

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

*

标准包装

3,000

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