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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3430-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3430-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH3430-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH3430-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH3430-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH3430-TL-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型MOSFET,采用超小型SOT-416(SC-75)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 85 mΩ @ VGS = 4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 2.1 nC)和快速开关特性。其额定电压为30 V,连续漏极电流达200 mA(Ta = 25°C),适合低压、小功率、高密度应用。 典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、振动马达控制或USB接口负载开关; ✅ 电池供电系统:用于锂离子/聚合物电池的充放电路径保护、电池电量计采样开关或低功耗待机电路的电源门控; ✅ 信号切换与逻辑电平转换:在MCU GPIO驱动能力受限时,作为低功耗缓冲开关,实现I²C/SPI等总线信号隔离或电平位移; ✅ DC-DC转换器辅助电路:在同步降压转换器中用作自举电路开关,或作为高端/低端驱动的小电流侧开关; ✅ 传感器与执行器接口:驱动微型电磁阀、小型蜂鸣器、光电耦合器输入级等毫瓦级负载。 其微型封装(1.6 × 1.6 × 0.7 mm)和低功耗特性特别适用于空间受限、对BOM成本与PCB面积敏感的消费类及物联网终端产品。需注意:该器件非功率主开关,不适用于大电流(>500 mA)或高压(>30 V)场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2A CPH3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | CPH3430-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.2nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 220 毫欧 @ 1A,4V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 3-CPH |
| 其它名称 | 869-1132-6 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-96 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |