【未分类_CL03A103KP3NNNH】封装/厂家_CL03A103KP3NNNH中文资料_价格

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型号： CL03A103KP3NNNH
制造商： SAMSUNG
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CL03A103KP3NNNH由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL03A103KP3NNNH价格参考。SAMSUNGCL03A103KP3NNNH封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CL03A103KP3NNNH参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CL03A103KP3NNNH 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Samsung Electro-Mechanics生产的CL03A103KP3NNNH是一款多层陶瓷电容器（MLCC），容值为10 nF（103表示10×10³ pF），额定电压为10 V，X7R温度特性，0201英寸（0603 mm）小型封装，±10%容差，无卤素、符合RoHS标准。

该器件主要应用于对空间、高频性能和稳定性要求较高的便携式电子设备中，典型场景包括：  
- 智能手机与可穿戴设备：用于电源去耦、噪声滤波（如为AP、RF收发模块、PMIC或传感器供电路径提供局部储能与高频旁路）；  
- 蓝牙/Wi-Fi模组及IoT终端：在射频前端与基带电路中实现信号耦合、DC隔离及EMI抑制；  
- TWS耳机、智能手表等超小型设备：凭借0201尺寸优势，在高密度PCB上节省空间，满足微型化设计需求；  
- 车载信息娱乐系统（IVI）中的非安全关键子电路：如音频接口、USB供电滤波等，需兼顾温度稳定性（X7R：-55℃~+125℃）与可靠性；  
- 消费类电子主控板：为MCU、DDR内存接口或摄像头模组提供高速电源去耦，保障信号完整性。

需注意：其10 V额定电压限制了在高压电源轨的应用，不适用于工业或汽车动力系统等高可靠性/高电压场景。实际选型中建议结合纹波电流、老化效应及PCB焊盘设计进行充分验证。

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