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- 型号： CK45-R3DD221K-GRA
- 制造商： TDK
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CK45-R3DD221K-GRA由TDK设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CK45-R3DD221K-GRA价格参考。TDKCK45-R3DD221K-GRA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CK45-R3DD221K-GRA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CK45-R3DD221K-GRA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TDK Corporation的CK45-R3DD221K-GRA是一款多层陶瓷电容器（MLCC），属于R3系列（即X7R温度特性，±15%容差），标称容量为220 pF，额定电压50 V，封装尺寸为1206（3.2 mm × 1.6 mm）。其典型应用场景包括： - 高频滤波与去耦：适用于开关电源、DC-DC转换器及数字IC（如微控制器、FPGA）的电源引脚旁路，抑制高频噪声（数十MHz至数百MHz），保障供电稳定性。 - 信号耦合与隔直：在射频前端、无线模块（Wi-Fi/Bluetooth）、中频放大电路中，用于AC信号耦合，利用其低ESL/ESR和良好高频响应特性。 - 振荡与定时电路：配合晶体或陶瓷谐振器构成稳定振荡回路，常见于时钟发生器、实时时钟（RTC）等对容值精度和温漂有一定要求的场景（X7R特性支持–55℃～+125℃工作）。 - EMI抑制辅助：作为EMI滤波网络的一部分，配合共模电感或磁珠，抑制传导干扰，满足CISPR 32等电磁兼容标准。 该型号采用高可靠性GR-A（Grade A）工艺，符合AEC-Q200车载标准（部分批次），亦可用于工业控制、通信设备及消费电子中对长期稳定性与温度适应性有要求的场合。注意：不适用于需要高精度（如C0G/NP0级）或高压（>50 V）的应用。
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