Datasheet下载- 型号： CDZT2R7.5B
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CDZT2R7.5B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDZT2R7.5B价格参考。ROHM SemiconductorCDZT2R7.5B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CDZT2R7.5B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDZT2R7.5B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDZT2R7.5B 是罗姆（ROHM）半导体推出的表面贴装型齐纳二极管，标称稳压值为7.5V（容差±3%），额定功率为200mW，采用小型SOD-123封装。其主要应用场景包括： 1. 低功耗电压基准与稳压：适用于便携式设备、传感器模块、MCU外围电路等对空间和功耗敏感的场合，为ADC参考源、比较器阈值或LDO反馈网络提供稳定基准电压。 2. 过压保护与箝位：在I/O接口（如UART、I²C总线）、信号调理电路中，与限流电阻配合，将瞬态电压箝位在7.5V以下，防止后级IC（如微控制器、运放）因浪涌或ESD受损。 3. 电源监控与复位电路：配合RC延时及施密特触发器，构成简易上电复位（POR）或欠压检测电路，确保系统在电源稳定至7.5V以上后才可靠启动。 4. 消费电子与工业控制板：广泛用于蓝牙耳机、智能穿戴设备、家电主控板、PLC输入模块等，实现低成本、高可靠性的小信号稳压与保护功能。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.06%/°C）及AEC-Q200车载认证选项（部分版本），亦可满足汽车电子中非安全关键子系统的稳压需求。需注意：实际应用中应严格限制工作电流（典型≤20mA），并确保PCB散热设计合理，以维持稳压精度与长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 7.5V 100MW VMN2稳压二极管 100MW 7.5V VMN2 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor CDZT2R7.5B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CDZT2R7.5B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 4V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | VMN2 |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | VMN-2 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 30 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 7.5V |
| 电压容差 | 2 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 30 欧姆 |
| 齐纳电压 | 7.44 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |
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