图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ501FO3由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ501FO3价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ501FO3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FJ501FO3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FJ501FO3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FJ501FO3 是一款由“-”(即厂商信息未标注/空白/未公开)品牌生产的云母及PTFE(聚四氟乙烯)复合介质电容器,其标称容量为500 pF(501表示50×10¹ = 500 pF),容差±1%,额定电压通常为300 V DC(CDV系列常用于高压精密场合,F代表±1%,J表示镀银云母/PTFE结构,O3可能为封装或温度特性代码)。 该电容器主要应用于对稳定性、低损耗、宽温特性及高频性能要求极高的场景: 1. 射频(RF)与微波电路:如通信基站、雷达前端、VHF/UHF滤波器和阻抗匹配网络,得益于云母+PTFE的超低介质损耗(tanδ < 0.0002)和优异Q值; 2. 高精度定时与振荡电路:如晶体振荡器负载电容、PLL环路滤波,因其容量温度系数极小(≈±3 ppm/℃)、老化率低(<0.005%/年),保障长期频率稳定; 3. 航天与军工电子:满足MIL-PRF-11015或类似高可靠性标准,耐受-55℃~+125℃宽温冲击、抗辐射、无焊料迁移风险; 4. 高端音频设备耦合/旁路:在Hi-Fi前级、测量仪器中提供纯净信号路径,避免陶瓷电容的压电噪声或电解电容的ESR/寿命限制。 注:因品牌标识为“-”,实际应用需结合具体制造商规格书确认电气参数与可靠性等级;建议优先选用有完整认证(如AEC-Q200、UL94-V0)的同型号合规产品。