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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ362GO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ362GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ362GO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FJ362GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FJ362GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FJ362GO3F 是一款由“-”(品牌字段为空,可能为代工或未标注品牌)生产的云母/PTFE复合介质电容器,属高可靠性薄膜电容。其型号中“362”表示标称容量为3.6 nF(即3600 pF),“J”代表容量公差±5%,“G”对应额定电压100 V DC(部分标准中G=100 V),O3F可能表征温度特性(如-55℃~+125℃)、封装形式(径向引线)及符合AEC-Q200或MIL-PRF-55681等规范。 该电容兼具云母的高稳定性、低损耗(tanδ < 0.0005)与PTFE的优异耐高温性(连续工作温度可达+200℃)和宽频响应,适用于对精度、老化率、高频性能及环境适应性要求严苛的场景: - 高频谐振回路与滤波电路(如射频功放匹配网络、雷达收发模块); - 精密定时与振荡电路(如石英晶体负载电容、高稳度RC振荡器); - 航空航天与军工电子中的电源去耦、信号耦合及脉冲整形; - 高温环境传感器接口电路、井下勘探设备信号调理单元; - 医疗影像设备(如MRI梯度放大器)中抗干扰耦合环节。 注:因品牌信息缺失,具体认证等级(如是否满足MIL标准)需以实物规格书为准;实际选型应核实厂商数据手册中的电压降额曲线、ESR及寿命参数。