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  • 型号: CDV30FJ332GO3F
  • 制造商: Cornell Dubilier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ332GO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ332GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ332GO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FJ332GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FJ332GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FJ332GO3F 是一款由“-”(品牌栏为空,可能为代工或未标注品牌,常见于部分国产或OEM电容器)生产的云母与PTFE(聚四氟乙烯)复合介质高压精密电容器。其标称容量为3300 pF(332表示33×10² pF),容差±2%(G),额定电压通常为1 kV DC或更高(具体需查规格书,但CDV系列多用于高压场景),O3F后缀常表征特殊引线/封装及温度特性(如-55℃~+125℃宽温、低ESR、高稳定性)。

该型号主要应用于对高频稳定性、极低损耗(tanδ < 0.0003)、优异温度特性及长期可靠性要求严苛的高端电子系统中,典型场景包括:  
✅ 高频谐振与选频电路——如射频(RF)发射机末级匹配网络、高Q值LC振荡器(雷达/通信设备本振);  
✅ 精密测量仪器——数字电桥、LCR测试仪的标准校准电容或参考基准;  
✅ 航空航天与军工电子——星载通信模块、相控阵雷达T/R组件中的耦合/旁路电容,耐受宽温、辐射及振动;  
✅ 高压脉冲系统——激光驱动电源、粒子加速器触发电路中承受快速dv/dt的储能/整形电容。

注:因采用云母(高绝缘强度、低老化)与PTFE(超低介电损耗、卓越耐热性)复合结构,该器件在1–100 MHz频段性能远优于普通陶瓷或薄膜电容,但成本较高,故不用于消费类通用电路。实际选型需确认厂商完整规格书以核实电压、纹波电流及焊接工艺要求。
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