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- 型号： CDV30FJ242GO3F
- 制造商： Cornell Dubilier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ242GO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ242GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ242GO3F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CDV30FJ242GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDV30FJ242GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FJ242GO3F 是 Cornell Dubilier Electronics（CDE）生产的云母介质电容器（属CDV系列），标称容量2.4 nF（242表示2.4×10² pF），容差±2%，额定电压300 VDC，采用径向引线、环氧树脂包封结构，符合MIL-PRF-11015标准，具备优异的温度稳定性（±35 ppm/°C）、低介质损耗（tanδ < 0.0002）、高Q值及长期可靠性。 其典型应用场景包括： - 高频谐振与滤波电路：如射频（RF）发射机/接收机中的LC调谐回路、带通/带阻滤波器，得益于云母材料极低的介电损耗和稳定的电容温度系数； - 精密定时与振荡电路：在高稳定性晶体振荡器（XO）、压控振荡器（VCO）的负载电容或反馈网络中，保障频率精度和相位噪声性能； - 脉冲与高dv/dt场合：如雷达脉冲成形网络、激光驱动器、医疗影像设备（如MRI梯度放大器）中的耦合/旁路，耐受快速电压变化且无老化漂移； - 航天与军工电子：因通过严格筛选（如SMD等级或MIL-STD-981），适用于卫星通信、导弹导引头、战术无线电等对可靠性、宽温（–55°C 至 +125°C）及抗辐射要求严苛的领域； - 高保真音频设备：在高端模拟前端（如麦克风前置放大器耦合电容）中提供无失真信号传输，避免陶瓷电容的压电效应或电解电容的漏电与老化问题。 注：该型号不含PTFE介质；CDE的PTFE电容器属不同系列（如CTF/CMF），CDV系列为银电极云母电容。
产品参数
图文手册
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