【未分类_CDV30FJ241GO3F】封装/厂家_CDV30FJ241GO3F中文资料_价格

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型号： CDV30FJ241GO3F
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ241GO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ241GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ241GO3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CDV30FJ241GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDV30FJ241GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FJ241GO3F 是一款由“-”（品牌栏为空，通常表示无标牌或代工型号，可能对应国产厂商如火炬电子、风华高科或航天科工旗下企业）生产的云母与PTFE（聚四氟乙烯）复合介质电容器。其型号编码表明：标称容量为241 pF（即240 pF），容差±2%（J），额定电压100 V（F），采用轴向引线、环氧树脂包封（G）、符合RoHS（O3F后缀常见于环保认证标识）。

该电容器结合了云母的高稳定性、低损耗（tanδ ≈ 0.0002～0.0005）和PTFE优异的宽温特性（–65℃～+200℃）、耐辐射及高频绝缘性能，适用于对可靠性、温度稳定性和高频性能要求极高的场景。典型应用包括：  
- 航空航天电子系统中的相控阵雷达本振（LO）耦合/滤波电路；  
- 高精度仪器仪表（如矢量网络分析仪内部校准模块）的基准谐振回路；  
- 卫星通信载波恢复电路、高稳晶振旁路与调谐网络；  
- 军用电子对抗设备中抗干扰射频前端的温度补偿电容；  
- 核工业传感器信号调理电路中需长期耐辐照、零老化漂移的关键节点。

因其低ESR、超低介质吸收（<0.01%）和近零年漂移（<10 ppm/年），不适用于大电流或脉冲功率场合，亦非普通消费电子器件。实际选型需确认具体制造商规格书以验证温度系数（通常≤±30 ppm/℃）、Q值（>10,000 @ 1 MHz）及可靠性等级（如MIL-PRF-55681）。

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