【未分类_CDV30FF912JO3F】封装/厂家_CDV30FF912JO3F中文资料_价格

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型号： CDV30FF912JO3F
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FF912JO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FF912JO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FF912JO3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CDV30FF912JO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDV30FF912JO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FF912JO3F 是 Cornell Dubilier（CDE）生产的云母介质电容器（属CDV系列），采用密封金属外壳、氟化乙丙烯（FEP，PTFE类）绝缘封装，标称容量9100 pF（912表示91×10² pF），容差±5%（J），额定电压300 VDC（30），工作温度范围-55°C 至 +125°C（O3F后缀表高温/高可靠性等级）。

该器件典型应用于对稳定性、低损耗和高可靠性要求严苛的高频、高Q值电路中，包括：  
- 射频（RF）与微波电路：如滤波器、谐振回路、阻抗匹配网络及天线调谐单元，得益于云母极低的介质损耗（tanδ < 0.0005）和优异的频率/温度稳定性；  
- 精密定时与振荡电路：如晶体振荡器负载电容、高精度RC延时网络，因容量长期漂移小（<0.1%/1000 h）、老化率极低；  
- 军用/航天与工业电源：在开关电源缓冲、Snubber吸收（尤其IGBT/MOSFET关断尖峰抑制）、高压脉冲整形等场景中，凭借FEP封装的耐热性、防潮性及金属外壳EMI屏蔽能力；  
- 测试测量设备：校准源、高频信号发生器及频谱分析仪内部参考电路，满足IEC 60384-12标准对Class 1云母电容的严格要求。

注意：该型号不适用于大纹波电流或交流高电压连续工况，且需避免机械应力（云母脆性），焊接时须遵守CDE推荐的热曲线（峰值≤260°C，<10 s）。

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