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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30EF510GO3由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30EF510GO3价格参考。Cornell DubilierCDV30EF510GO3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30EF510GO3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30EF510GO3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30EF510GO3 是 Cornell Dubilier Electronics(CDE)生产的云母介质电容器(属CDV系列),标称容量10 pF ±2%(G=±2%),额定电压500 VDC,工作温度范围–55°C 至 +125°C,采用径向引线、环氧树脂包封结构,具有优异的稳定性、低损耗(tanδ < 0.0002)、极低的电容温度系数(≈±35 ppm/°C)及出色的高频性能。 其典型应用场景包括: - 高精度振荡与定时电路:如晶体振荡器负载电容、VCO调谐回路,依赖其电容值长期稳定性和温度不变性; - 射频(RF)与微波电路:用作阻抗匹配、耦合、旁路或滤波元件(尤其在UHF频段),得益于云母的低介质损耗和高Q值; - 军用/航天及高可靠性系统:满足MIL-PRF-11015标准,适用于雷达收发模块、通信前端、相控阵天线等对参数漂移、老化和可靠性要求严苛的环境; - 精密测量与校准设备:作为标准电容或参考元件,用于LCR表、网络分析仪内部校准网络; - 高压脉冲与开关电源缓冲电路:在需兼顾耐压与稳定性的场合(如IGBT驱动吸收网络),但需注意其非PTFE材质——该型号为银电极云母电容(CDV系列),并非PTFE电容(CDE的PTFE系列通常为CDS或CDR系列)。 注:型号后缀“GO3”对应径向引线、0.25"节距、符合RoHS,不适用于浸渍或高温焊接(建议波峰焊温度≤260°C/10s)。