【未分类_CDM6264BCJ3】封装/厂家_CDM6264BCJ3中文资料_价格

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型号： CDM6264BCJ3
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CDM6264BCJ3由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDM6264BCJ3价格参考。HarrisCDM6264BCJ3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CDM6264BCJ3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDM6264BCJ3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDM6264BCJ3 是 Harris Corporation（现已被瑞萨电子 Renesas 收购）生产的一款高速 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），容量为 64Kbit（8K × 8），采用 28-pin CERDIP 或 PLCC 封装，工作电压为 +5V，访问时间典型值为 35ns 或 45ns（依后缀而定）。

该器件主要面向高可靠性、工业及军用嵌入式系统场景：  
- 航空航天与国防电子：用于飞行控制计算机、雷达信号处理模块、导弹导引头等对温度范围（-55°C 至 +125°C）、抗辐照和长期稳定性要求严苛的设备；  
- 工业自动化控制器：作为 PLC、CNC 系统或实时数据缓存的高速暂存单元，支持确定性低延迟读写；  
- 通信基础设施：在早期数字程控交换机、信道化接口卡中用作帧缓冲或协议栈临时存储；  
- 测试测量设备：如高速逻辑分析仪、ATE（自动测试设备）中用于采集数据的高速暂存区。

需注意：CDM6264BCJ3 属于上世纪80–90年代主流SRAM，现已停产，当前多用于军工设备的备件替换或老旧系统维护。其设计不适用于现代低功耗、大容量或嵌入式SoC集成场景，亦无串行接口或非易失特性，仅为异步并行静态RAM。应用时需配合地址锁存、片选逻辑及时序匹配电路。

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