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  • 型号: CDM5114CD3
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CDM5114CD3由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDM5114CD3价格参考。HarrisCDM5114CD3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDM5114CD3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDM5114CD3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDM5114CD3 是 Harris Corporation(现已被 L3Harris Technologies 收购)推出的一款高速、低功耗CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为 1 Mbit(128K × 8),采用3.3V供电,具备快速访问时间(典型值约10–12 ns)和工业级工作温度范围(–40°C 至 +85°C)。

其主要应用场景集中在对可靠性、实时性和抗干扰能力要求较高的嵌入式与军工电子系统中,例如:  
- 航空航天电子设备:用于飞行控制计算机、惯性导航系统(INS)及星载数据缓存,满足高辐射容忍与宽温运行需求;  
- 军用通信装备:在战术电台、加密终端及软件定义无线电(SDR)中作为高速缓冲存储器,支持实时信号处理与协议栈暂存;  
- 雷达与电子战系统:用于脉冲压缩、FFT运算中间结果缓存及波形生成模块,发挥其低延迟、零等待周期优势;  
- 高可靠性工业控制系统:如核电站安全仪表系统(SIS)、轨道交通信号控制器等,依赖其无刷新、非易失性(断电前数据不丢失)及长寿命特性。

需注意:该器件为并行接口SRAM,不具掉电保存能力,常与备份电源或非易失存储器配合使用。因Harris已整合入L3Harris,当前技术支持与供货由L3Harris承接,且部分型号可能已进入停产(EOL)阶段,新设计建议评估替代方案。
产品参数 图文手册 常见问题
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