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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR08C129C5GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR08C129C5GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR08C129C5GAC价格参考。KemetCBR08C129C5GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR08C129C5GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR08C129C5GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR08C129C5GAC 是一款由村田（Murata）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于“-”品牌（即无品牌标识，但实际为村田原厂标准型号，常以“-”或空白表示原厂直供）。其规格为：容量1.2 nF（129即12×10⁹ pF = 1.2 nF），容差±0.25 pF（C级），额定电压50 V（5G），X7R温度特性，0805封装（2.0×1.25 mm）。 该电容典型应用于对稳定性、低损耗和高频性能有要求的模拟与射频电路中。具体场景包括： - 高频信号耦合与旁路：在射频前端模块（如Wi-Fi 6/Bluetooth SoC供电路径）中，为IC提供低阻抗高频回路，滤除100 MHz–3 GHz频段噪声； - 时钟与振荡电路：用于晶体振荡器负载电容匹配（需配合高精度容值），提升频率稳定性和相位噪声性能； - 精密传感信号调理：在医疗/工业传感器（如压电传感器、MEMS麦克风）的微弱信号放大链路中，作直流隔离耦合电容，凭借X7R的低失真与高可靠性保障信噪比； - 高速数字接口滤波：USB 2.0、LVDS等接口的EMI抑制与电源去耦，满足IEC 61000-4-2 ESD防护设计需求。 其超小容差（±0.25 pF）和优异的温度/电压特性，使其特别适用于高精度定时、射频匹配及敏感模拟前端，不推荐用于大电流开关电源主滤波等高纹波场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 1.2PF 50V NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR08C129C5GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.88mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 1.2pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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