Datasheet下载- 型号： CBR08C109C5GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR08C109C5GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR08C109C5GAC价格参考。KemetCBR08C109C5GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR08C109C5GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR08C109C5GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR08C109C5GAC 是一款高性能X7R介质、0805封装（2.0×1.25 mm）、10 µF/50 V的多层陶瓷电容器（MLCC）。其典型应用场景包括： - 电源去耦与旁路：广泛用于FPGA、ASIC、微处理器及DC-DC转换器的输入/输出端，抑制高频噪声（数十MHz至数百MHz），保障供电稳定性； - 工业与汽车电子：满足AEC-Q200认证（注：需确认具体批次是否通过，但CBR系列普遍面向车规应用），适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块及车身控制单元中的滤波与稳压； - 通信设备：在5G基站射频前端、光模块及高速接口（如PCIe、USB 3.0）中，提供低ESL/ESR特性支持瞬态电流响应； - 医疗与仪器仪表：因具备高可靠性、无极性、零直流偏压老化效应（X7R类），适用于便携式监护仪、精密ADC/DAC参考电压旁路等对长期稳定性要求严苛的场景。 该器件工作温度范围为–55°C 至 +125°C，容量变化率≤±15%（X7R），适合宽温、高可靠性环境。注意：10 µF容量在0805尺寸下属高容密设计，实际应用中需关注直流偏压导致的容值衰减，建议结合电路工作电压进行降额选型（如50 V额定电压建议用于≤25 V系统）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 1PF 50V NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR08C109C5GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.88mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 1.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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