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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR06C159C1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR06C159C1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR06C159C1GAC价格参考。KemetCBR06C159C1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR06C159C1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR06C159C1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR06C159C1GAC 是 KEMET 推出的高可靠性多层陶瓷电容器（MLCC），属于 CBR 系列（符合 MIL-PRF-55681/8 标准），具有航天/军工级品质。其标称参数为：1.5 pF、±0.25 pF（C 容差）、直流额定电压 100 V、温度特性为 C0G/NP0（超稳定，α ≤ ±30 ppm/°C），封装尺寸为 0603（1608 公制）。 该器件主要应用于对稳定性、低损耗和长期可靠性要求极高的高频模拟与射频电路中，典型场景包括： - 射频前端匹配网络：如 LNA（低噪声放大器）、PA（功率放大器）输入/输出端的阻抗匹配与谐振调谐； - 高精度定时与滤波电路：如压控振荡器（VCO）、PLL（锁相环）中的谐振电容，保障频率稳定性和相位噪声性能； - 航天与国防电子系统：卫星通信模块、雷达收发组件、惯导系统等需通过严格筛选（如 SMD 55681 Class S 或 X1/Y2 等级）的高可靠性应用； - 医疗电子设备：如高端超声成像、MRI 信号调理电路中对温漂和老化率敏感的关键耦合/旁路节点。 得益于 C0G 材料的零电压系数、极低介电吸收（DA）及优异的抗老化特性（ΔC < ±0.1% over 10 years），该电容在宽温范围（–55°C 至 +125°C）内保持电容值高度恒定，适用于严苛环境下的精密信号链设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 1.5PF 100V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR06C159C1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.034"（0.87mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 1.5pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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