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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR04C909D1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR04C909D1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR04C909D1GAC价格参考。KemetCBR04C909D1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR04C909D1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR04C909D1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR04C909D1GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为9.0 pF，容差±0.5 pF（D档），额定电压100 VDC，采用0402（1005）小型封装，介质为C0G/NP0（温度特性极稳定，±30 ppm/℃）。 其典型应用场景包括： - 高频射频电路：如5G通信前端模块、Wi-Fi 6/6E射频匹配网络、蓝牙BLE天线调谐，利用C0G材料低损耗（DF < 0.1%）、高Q值和优异频率稳定性，保障信号完整性； - 精密振荡与时钟电路：用于晶体振荡器（XO）、VCO负载电容或PLL环路滤波，其超小容差与零温漂特性确保频率长期精准； - 汽车电子系统：符合AEC-Q200标准，适用于ADAS摄像头模块、车载雷达收发链路、CAN/LIN总线ESD滤波等严苛环境； - 测试测量设备：在高频探头补偿、矢量网络分析仪校准端口等对寄生参数敏感的场合，0402尺寸与低ESL/ESR特性可减小相位误差。 该器件不适用于大纹波电流或高脉冲功率场景（非X7R/X5R类），主要发挥其“高精度、高稳定性、低噪声”优势，常见于对信号保真度和长期可靠性要求极高的模拟与射频前端设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 9PF 100V NP0 0402 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://capacitoredge.kemet.com/capedge2/DataSheet?pn=CBR04C909D1GAC |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR04C909D1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 其它名称 | 339-8644-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
| 大小/尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.5pF |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/hiqcbr-series/50483 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 9.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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