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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR04C808A5GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR04C808A5GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR04C808A5GAC价格参考。KemetCBR04C808A5GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR04C808A5GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR04C808A5GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR04C808A5GAC 是由 KEMET（基美）生产的陶瓷电容器（非“品牌为-”，应为 KEMET），属于 CBR 系列，X7R 介质，容值 80 pF，额定电压 50 V，容差 ±0.05 pF（A 级），封装为 0402（1005 公制）。 该器件主要应用于高频、高稳定性场景： 1. 射频（RF）电路：如智能手机、Wi-Fi 6/6E、蓝牙模块中的阻抗匹配网络、天线调谐和滤波器，凭借其低 ESR、小尺寸及优异的高频特性（自谐振频率高），可有效抑制噪声并保障信号完整性； 2. 高速数字接口旁路/去耦：用于 FPGA、高速 ADC/DAC 或处理器电源引脚附近，提供局部高频电流回路，抑制电源纹波与开关噪声； 3. 精密振荡与定时电路：在晶体振荡器（XO）、VCO 或 PLL 环路中用作负载电容或相位补偿元件，其高容值精度（±0.05 pF）和 X7R 的温度稳定性（±15% over -55℃~+125℃）有助于提升频率稳定性； 4. 医疗与工业传感器前端：在低功耗、高信噪比模拟采集路径中，用于抗混叠滤波或信号调理。 需注意：该型号不适用于大电流或高脉冲功率场合；实际应用中建议结合 PCB 布局优化接地与走线，以充分发挥其高频性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.8PF 50V NP0 0402 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR04C808A5GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
| 大小/尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 0.80pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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