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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR04C209C5GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR04C209C5GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR04C209C5GAC价格参考。KemetCBR04C209C5GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR04C209C5GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR04C209C5GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR04C209C5GAC 是由 KEMET（基美）生产的陶瓷电容器（非“品牌为-”，应为KEMET），属于C0G/NP0类高稳定性多层陶瓷电容（MLCC）。其参数为：容量2.0 pF、容差±0.25 pF、额定电压50 V、封装尺寸0402（1.0×0.5 mm）、温度特性C0G（NP0），具有极低的介质损耗（DF < 0.1%）和优异的温度稳定性（±30 ppm/℃）。 该器件主要应用于对频率稳定性、低相位噪声和高Q值要求严苛的高频模拟与射频电路中，典型场景包括： 1. 射频匹配网络：在Wi-Fi 6/6E、蓝牙、Zigbee等2.4 GHz/5 GHz频段前端模块中，用于阻抗匹配与谐振调谐； 2. 振荡器与滤波器：作为晶体振荡器（XO）、VCO或SAW/BAW滤波器旁路/负载电容，保障起振可靠性和中心频率精度； 3. 高速信号链：在ADC/DAC参考电压去耦、时钟信号滤波及RF收发器本振（LO）路径中，抑制高频噪声并维持信号完整性； 4. 医疗与测试设备：如超声成像前端、频谱分析仪输入级等需极低失真和长期稳定性的精密电路。 因其超小容差与C0G材质，不适用于电源去耦或大电流滤波等场景。选型时需注意PCB布局对寄生电感/电容的影响，以充分发挥其高频性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 2PF 50V NP0 0402 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR04C209C5GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
| 大小/尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 2.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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