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- 型号： CBR04C160G5GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR04C160G5GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR04C160G5GAC价格参考。KemetCBR04C160G5GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR04C160G5GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR04C160G5GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR04C160G5GAC 是一款高性能车规级多层陶瓷电容器（MLCC），符合AEC-Q200标准。其参数为：容量16 pF，容差±2%（G），额定电压50 V（DC），封装尺寸0402（1.0 mm × 0.5 mm），采用C0G/NP0类温度稳定介质，具有极低的介质损耗（tanδ < 0.001）、优异的温度系数（±30 ppm/℃）、几乎零老化效应及良好的频率稳定性。 该器件主要应用于对精度、稳定性和可靠性要求严苛的高频模拟与射频电路中，典型场景包括： - 射频前端模块（RF Front-End）：作为匹配网络中的微调电容、滤波器谐振电容或LNA/PA偏置去耦电容； - 时钟与振荡电路：用于晶体振荡器（XO）负载电容、PLL环路滤波器中的高稳定性电容； - 高速数字接口：如USB、HDMI、PCIe等信号链中的高频旁路与阻抗匹配； - 汽车电子系统：车载雷达（24 GHz/77 GHz）、ADAS传感器、车身控制模块（BCM）及信息娱乐系统中需通过车规认证的关键节点； - 精密仪器与医疗电子：如超声成像前端、高分辨率ADC/DAC参考电路中的去耦与滤波。 因其C0G介质特性，CBR04C160G5GAC在宽温范围（–55℃ ~ +125℃）内电容值高度稳定，无直流偏压效应，适合替代传统云母或薄膜电容，在小型化、高密度PCB设计中优势显著。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 16PF 50V 2% NP0 0402 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR04C160G5GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
| 大小/尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 16pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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