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- 型号： CBR02C909B9GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C909B9GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C909B9GAC价格参考。KemetCBR02C909B9GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C909B9GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C909B9GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR02C909B9GAC 是 KEMET 推出的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），属于 CBR 系列（车规级、高可靠性、X7R介质、AEC-Q200 认证）。其标称容量为 9.0 pF，容差 ±0.1 pF（B 码），额定电压 100 V（9G = 100 V DC），封装尺寸为 0201（0.6 mm × 0.3 mm），采用镍/锡端电极，符合 RoHS 及无卤要求。 该器件主要面向高频、高稳定性应用场景： ✅ 射频（RF）电路：如5G基站前端模块、Wi-Fi 6/6E 射频匹配网络、天线调谐电路，凭借超小尺寸与低寄生电感/电容，保障信号完整性； ✅ 高速数字接口旁路/去耦：用于 FPGA、高速 SerDes（如 PCIe 5.0、USB4）的局部高频噪声抑制，尤其适配紧凑型射频收发器或毫米波模块； ✅ 精密滤波与耦合：在VCO、PLL环路滤波器、低相噪时钟路径中提供高Q值、低损耗的稳定电容特性； ✅ 汽车电子：因通过 AEC-Q200 认证，可用于 ADAS 摄像头模组、雷达 RF 前端、车载信息娱乐系统中的高频信号链。 其 9.0 pF 的微小容量、±0.1 pF 高精度及优异温度稳定性（X7R：±15% @ -55°C to +125°C），使其成为对容值精度和高频性能要求严苛场景的理想选择。需注意：0201 封装对贴装工艺要求高，建议采用高精度 SMT 设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 9PF 6.3V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C909B9GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 6.3V |
| 电容 | 9.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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