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- 型号： CBR02C808A8GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C808A8GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C808A8GAC价格参考。KemetCBR02C808A8GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C808A8GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C808A8GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C808A8GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为80 pF，额定电压10 V，容差±0.05 pF（即“J”级精度），采用C0G/NP0类超稳定介质，温度系数近乎零（±30 ppm/°C），具备极低的介质损耗（tanδ < 0.001）和优异的频率/温度稳定性。 其典型应用场景包括： - 高频射频电路：如5G基站前端模块、Wi-Fi 6/7射频收发器中的阻抗匹配、谐振调谐与滤波网络； - 精密时钟与振荡电路：为晶体振荡器（XO）、VCXO提供高Q值、低相位噪声的负载电容或旁路元件； - 高速数字接口：用于USB 3.x、PCIe、HDMI等接口的高频去耦与信号完整性优化； - 汽车电子系统：满足AEC-Q200要求，适用于ADAS雷达模块、车载信息娱乐系统（IVI）射频前端及车身控制单元中对温漂和长期可靠性严苛的场景； - 测试测量设备：在矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪等高端仪器中承担校准、参考或采样保持电路中的关键无源元件。 该器件采用0201（0.6 mm × 0.3 mm）超小型封装，适合高密度PCB布局，且C0G介质确保在全工作温度范围（–55°C 至 +125°C）内电容值高度稳定，无直流偏压效应，是高频、高精度、高可靠性应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.8PF 10V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C808A8GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 0.80pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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