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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR02C409C3GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C409C3GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C409C3GAC价格参考。KemetCBR02C409C3GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C409C3GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C409C3GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C409C3GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为4.0 nF（409表示4.0×10⁹ pF），容差±0.25 pF（C），额定电压25 V（3G对应25 V DC），采用C0G/NP0类超稳定介质，封装尺寸为0201（0.6 mm × 0.3 mm）。 其主要应用场景包括： - 高精度模拟电路：如传感器信号调理、ADC/DAC参考旁路、运算放大器补偿网络，得益于C0G介质极低的温度系数（±30 ppm/℃）、近乎零的电压与频率依赖性，确保长期稳定性； - 射频与高频电路：适用于2.4 GHz Wi-Fi、蓝牙模块中的匹配网络、RF滤波及去耦，小尺寸与低ESL特性支持高频性能； - 汽车电子系统：满足AEC-Q200标准，用于车载信息娱乐系统、ADAS摄像头模块、车身控制单元中对可靠性与温度稳定性要求严苛的旁路和滤波环节（工作温度范围–55℃至+125℃）； - 医疗与工业设备：在便携式监护仪、精密测量仪器等需低噪声、高可靠性的场合，承担电源轨局部去耦与噪声抑制任务。 该型号不适用于大电流或高纹波场景，亦不可替代X7R等高容值但稳定性较差的介质类型。其价值核心在于微型化封装下实现C0G级性能，适用于空间受限且对参数漂移敏感的高端应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 4PF 25V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C409C3GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 25V |
| 电容 | 4.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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