Datasheet下载- 型号： CBR02C399C8GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C399C8GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C399C8GAC价格参考。KemetCBR02C399C8GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C399C8GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C399C8GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C399C8GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为3.9 pF，容差±0.25 pF（C级），额定电压8 V，采用0201（0603公制）超小尺寸封装，介质为C0G/NP0（温度系数±30 ppm/℃，极低老化与高稳定性）。 其典型应用场景包括： - 高频射频电路：如5G通信模块、Wi-Fi 6/6E、蓝牙SoC中的匹配网络、天线调谐与滤波器旁路，凭借C0G材质的超低损耗（DF < 0.1%）和优异频率响应（自谐振频率高），保障信号完整性； - 精密传感与时钟电路：用于高精度振荡器（如TCXO、VCXO）负载电容、ADC/DAC参考电压去耦、MEMS传感器接口，依赖其电容值高度稳定、温漂极小、无压电噪声； - 汽车电子系统：满足AEC-Q200标准，适用于ADAS摄像头模组、雷达收发前端、车载信息娱乐（IVI）系统的RF信号链，耐受宽温（–55°C 至 +125°C）与高可靠性要求； - 空间受限便携设备：0201封装适配TWS耳机、智能手表等微型终端的高频去耦与耦合需求，在有限PCB面积下提供稳定高频性能。 该器件不适用于大电流滤波或电源主路退耦（因容量小、耐压低），核心价值在于高频、高稳、高可靠场景下的精密电容功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 3.9PF 10V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C399C8GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 3.9pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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