Datasheet下载- 型号： CBR02C339B9GAC
- 制造商： Kemet
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C339B9GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C339B9GAC价格参考。KemetCBR02C339B9GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C339B9GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C339B9GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C339B9GAC 是一款高性能X7R介质、0201封装（0.6 mm × 0.3 mm）、33 pF ±0.1 pF（B容差）、50 V额定电压的多层陶瓷电容器（MLCC）。其超小尺寸、高精度与低寄生参数，专为高频、高可靠性场景优化。 典型应用场景包括： 1. 射频前端电路：用于5G智能手机、Wi-Fi 6/6E模块中的匹配网络、PA输出滤波及LNA输入耦合，凭借低ESL/ESR和稳定容值保障信号完整性； 2. 高速数字接口去耦：在SoC、FPGA或高速SerDes（如USB 3.2、PCIe Gen4）电源引脚附近作局部高频去耦（1–6 GHz频段），抑制电源噪声与开关噪声； 3. 汽车ADAS传感器电路：满足AEC-Q200认证（该型号为车规级），适用于毫米波雷达（77 GHz）接收链路中的偏置去耦与交流耦合； 4. 医疗电子微型设备：如便携式超声探头、可穿戴生命体征监测仪中，因尺寸严苛且需长期稳定性而被采用。 注：其“9GAC”后缀代表符合RoHS、无卤素、端电极含镍/锡（哑光镀层），适合回流焊工艺；CBR系列强调高频性能与DC偏压稳定性，优于通用型MLCC。实际选型需结合PCB布局、热应力及寿命要求综合评估。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 3.3PF 6.3V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C339B9GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 6.3V |
| 电容 | 3.3pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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