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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR02C110F8GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C110F8GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C110F8GAC价格参考。KemetCBR02C110F8GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C110F8GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C110F8GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET品牌的CBR02C110F8GAC是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容值为11 pF，精度±1%，额定电压8 V，封装尺寸0201（0.6 mm × 0.3 mm），采用C0G/NP0类温度稳定介质。其超低损耗、高Q值、优异的频率稳定性及-55℃～+125℃宽温工作能力，使其特别适用于高频、高可靠性场景。 典型应用场景包括： 1. 射频前端电路：如5G智能手机、Wi-Fi 6/6E模块、蓝牙SoC中的匹配网络、天线调谐与滤波器旁路，用于抑制高频噪声并保障信号完整性； 2. 高速数字接口去耦：在SerDes、PCIe、USB 3.x等接口的电源引脚附近提供局部高频去耦，抑制GHz频段开关噪声； 3. 汽车电子系统：车载雷达（24/77 GHz）、V2X通信模块、ADAS传感器中的RF滤波与偏置去耦，满足严苛的车规振动、温度与寿命要求； 4. 精密振荡电路：作为晶体振荡器（XO）或VCO中的负载/反馈电容，利用C0G材质极小的容量漂移（<±30 ppm/℃）保障频率稳定性。 该器件不含铅、符合RoHS/REACH，适用于高密度PCB贴装，是小型化、高频化、高可靠性电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 11PF 10V 1% NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C110F8GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±1% |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 11pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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