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- 型号： CAS100H12AM1
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CAS100H12AM1由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CAS100H12AM1价格参考。CreeCAS100H12AM1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CAS100H12AM1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CAS100H12AM1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed 的 CAS100H12AM1 是一款基于碳化硅（SiC）技术的功率 MOSFET 阵列器件，具有高耐压、低导通电阻和优异的开关性能。该型号为双路 N 沟道 SiC MOSFET 阵列，额定电压 1200V，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。 其主要应用场景包括： 1. 新能源发电：广泛用于光伏逆变器和储能系统中，凭借高频工作能力和低损耗特性，提升系统转换效率，减小散热器体积与整体尺寸。 2. 电动汽车及充电桩：在车载充电机（OBC）和直流快充桩中作为核心开关器件，支持高电压平台运行，加快充电速度并提高能效。 3. 工业电机驱动：适用于高压变频器和伺服驱动器，实现更高效的电能转换和精确控制，同时降低温升和系统功耗。 4. 不间断电源（UPS）与服务器电源：在数据中心电源系统中，有助于实现高功率密度和高可靠性设计，满足绿色节能要求。 5. 轨道交通与智能电网：用于牵引变流器和固态变压器等设备，适应严苛环境下的长期稳定运行。 CAS100H12AM1 凭借 SiC 材料优势，可在高温、高压、高频条件下稳定工作，显著优于传统硅基器件，是现代高效电力电子系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 10.7 nF |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE分立半导体模块 1200V, 100A MODULE SIC Z-FET, Z-REC |
| DevelopmentKit | - |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 碳化硅 （SiC） |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| Id-连续漏极电流 | 168 A |
| 品牌 | Cree Inc |
| 产品手册 | http://www.cree.com/sitecore%20modules/web/~/media/Files/Cree/Power/Data%20Sheets/CAS100H12AM1.pdf#search=%22CAS100H12AM1%22 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 分立半导体模块,Cree, Inc. CAS100H12AM1Z-FET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CAS100H12AM1 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 568 W |
| Pd-功率耗散 | 568 W |
| Qg-GateCharge | 490 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.6 uC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V, + 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V, + 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.1 V |
| 上升时间 | 46 ns |
| 下降时间 | 76 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.1V @ 50mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9500pF @ 800V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 20A，20V |
| 产品 | Power Semiconductor Modules |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| 供应商器件封装 | 模块 |
| 保持电流Ih最大值 | - |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 典型延迟时间 | - |
| 功率-最大值 | 568W |
| 包装 | 散装 |
| 反向电压 | - |
| 商标 | Cree, Inc. |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | Screw |
| 导通电阻 | 16 mOhms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 封装/箱体 | Module |
| 工作温度 | - |
| 工作电源电压 | - |
| 技术类型 | - |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | - |
| 最小工作温度 | - |
| 栅极触发电流-Igt | - |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | - |
| 正向跨导-最小值 | 31 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 1.2 kV |
| 漏极连续电流 | 168 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/cree-cas100h12am1-half-bridge-module/2949 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 165A |
| 类型 | H-Bridge MOSFET Modules |
| 负载电压 | 800 V |
| 输出电流 | - |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | H-Bridge |
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