Datasheet下载- 型号： C3D08065I
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供C3D08065I由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C3D08065I价格参考。CreeC3D08065I封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载C3D08065I参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有C3D08065I 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed 型号为 C3D08065I 的二极管是一款650V、8A的肖特基碳化硅（SiC）整流二极管，属于高性能单整流器。其主要应用场景包括高效率开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、工业电机驱动以及功率因数校正（PFC）电路等。 由于采用碳化硅材料，该二极管具有极低的反向恢复损耗和正向导通压降，显著提升系统能效，特别适用于高频、高温和高电压工作环境。在新能源领域，如光伏逆变器中，C3D08065I 能有效降低能量损耗，提高系统整体效率；在电动汽车充电桩中，其快速开关特性和高可靠性有助于实现紧凑设计和稳定运行。此外，在工业电源和UPS（不间断电源）系统中，该器件可增强系统热性能，减少散热需求，缩小体积。 总之，C3D08065I 凭借其优异的电气特性，广泛应用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的现代电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 8A 650V TO-220-2肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 8A, Isolated |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Cree, Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Cree, Inc. C3D08065IZ-Rec™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | C3D08065I |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.8V @ 8A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 441pF @ 0V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 60µA @ 650V |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-220-2 隔离片 |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 0ns |
| 商标 | Cree, Inc. |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-2 隔离片 |
| 封装/箱体 | TO-220-2 |
| 峰值反向电压 | 650 V |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 175°C |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 恢复时间 | - |
| 技术 | SiC |
| 最大二极管电容 | 441 pF |
| 最大功率耗散 | 48 W |
| 最大反向漏泄电流 | 60 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 69 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向电压下降 | 1.8 V |
| 正向连续电流 | 8 A |
| 热阻 | 3.1°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 650V |
| 电流-平均整流(Io) | 8A（DC） |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 配置 | Single |
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